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KINGSTON MEMORIA RAM KVR26S19S6 4GB DDR4 2666MHZ SODIMM

SKU:387565

KINGSTON MEMORIA RAM KVR26S19S6 4GB DDR4 2666MHZ SODIMM

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    Memoria Ram Kingston KVR26S19S6 4GB DDR4 2666MHZ NON - ECC CL19 SODIMM

    Descripción

    Este documento describe el KVR26S19S6 / 4 de ValueRAM como 512 M x 64 bits (4 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (síncrona DRAM), 1Rx16, módulo de memoria, basado en cuatro 512M x 16 bits Componentes FBGA. El SPD está programado para JEDEC latencia estándar DDR4-2666 temporización de 19-19-19 a 1,2 V. Esta El SODIMM de 260 pines utiliza dedos de contacto dorados. El eléctrico y Las especificaciones mecánicas son las siguientes:



    CL (IDD) 19 ciclos

    Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 45,75 ns (mínimo)

    Actualizar a Activo / Actualizar Tiempo de comando (tRFCmin) 350ns (mín.)

    Tiempo activo de fila (tRASmin) 32ns (mín.)

    Potencia de funcionamiento máxima TBD W *

    Clasificación UL 94 V - 0

    Temperatura de funcionamiento 0o C hasta + 85o

    Temperatura de almacenamiento C-55o C hasta + 100o C

    La potencia variará según la SDRAM utilizada.

    Características

    • Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico

    • VDDQ = 1,2 V típico

    • VPP = 2,5 V típico

    • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

    • Terminación en matriz (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, luz estroboscópica y máscara

    • Autoactualización de bajo consumo (LPASR)

    • Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos

    • Generación y calibración de VREFDQ en matriz

    • Rango único

    • EEPROM de detección de presencia (SPD) en serie I2 integrada

    • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno

    • Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 mediante el conjunto de registros de modo (MRS)

    • BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)

    • Topología fly-by

    • Bus de dirección y comando de control terminado

    • PCB: Altura 1,18 '(30,00 mm)

    • Cumple con RoHS y sin halógenos